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集成电路CMOS试题库--第1页 一、选择题 Moore 在 1965 年预言:每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番。 （B） 2.MOS 管的小信号输出电阻是由 MOS 管的效应产生的。 （C） A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 3.在 CMOS 模拟集成电路设计中，我们一般让 MOS 管工作在区。 （D） A. 亚 阈 值 区 B. 深 三 极 管 区 C. 三 极 管 区 D. 饱 和 区 管一旦出现现象，此时的 MOS 管将进入饱和区。 （A） A. 夹 断 B. 反 型 C. 导 电 D. 耗 尽 5.表征了 MOS 器件的灵敏度。 （C） A. r B. g C. g D.u c o mb m n ox 6.Cascode 放大器中两个相同的 NMOS 管具有不相同的。 （B） A. r B. g C. g D.u c o mb m n ox 7.基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是。 （C） A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 B.负载不匹配 C.输入 MOS 不匹配 D.电路制造中的误差 8.下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益。 （ C ） A.二极管负载差分放大器 B.电流源负载差分放大器 C.有源电流镜差分放大器 负载 Casocde 差分放大器 9.镜像电流源一般要求相同的。 （ D ） A.制造工艺 B.器件宽长比 C.器件宽度 W D.器件长度 L 10. NMOS 管的导电沟道中依靠导电。 （） A.电 子 B. 空 穴 C. 正 电 荷 D.负电荷 11.下列结构中密勒效应最大的是。 （A） A. 共 源 级 放 大 器 B. 源 级 跟 随 集成电路CMOS试题库--第1页 集成电路CMOS试题库--第2页 器 C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大 器 12.在 NMOS 中，若V 0会使阈值电。 （A） sb A. 增 大 B. 不 变 C. 减 小 D.可大可小 13. 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是。 （C） A. 增 益