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本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种LED芯片及其制造方法，LED芯片包括芯片本体，还包括设置在所述芯片本体出光面上的增透层；所述增透层包括至少一层子增透层，所述子增透层为金属氧化物纳米颗粒层。制造方法包括如下步骤：S1、在芯片电极表面形成掩膜层；S2、在所述掩膜层上形成至少一层子增透层，所述子增透层为金属氧化物纳米颗粒层；S3、在所述金属氧化物纳米颗粒层上形成保护层；S4、去除所述掩膜层。本发明可有效提高LED芯片的出光效率，且方法简单易生产、安全环保、成本低。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115842081 A
(43)申请公布日 2023.03.24
(21)申请号 202211375940.X
(22)申请日 2022.11.04
(71)申请人 苏州浪潮智能科技有限公司
地址 2
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
版权声明书
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