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本发明提供了一种晶体管，包括衬底，堆叠于所述衬底上的二维半导体层，设置于所述二维半导体层两侧的源电极和漏电极，堆叠于所述二维半导体层上的栅控介质层，堆叠于所述栅控介质层上石墨炔层，位于所述石墨炔层上方的栅电极，填充于所述栅电极与所述石墨炔层之间的电解质层。石墨炔层能够在栅控脉冲撤去后，阻止锂离子的自发扩散回电解液，提高了数据保持能力与栅控能力。栅控介质层能阻止二硒化钨和石墨炔之间的电荷流动，增强电荷保持能力，从而增强存储可靠性，同时降低漏电流，减小功耗。本发明还提供了一种上述晶体管的制造方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113990954 A
(43)申请公布日 2022.01.28
(21)申请号 202111263349.0
(22)申请日 2021.10.28
(71)申请人 上海集成电路制造创新中心有限公
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