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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成晶体管的器件区和用于形成电阻结构的电阻区；在所述基底上形成栅极，平行于所述基底且沿栅极延伸的方向为纵向，与所述纵向垂直的方向为横向；在所述栅极露出的基底中形成半导体层，位于所述器件区的半导体层用于形成源漏掺杂层，沿所述纵向位于所述电阻区的相邻半导体层相接触，用于形成电阻结构。本发明实施例有利于改善中段RC(电阻电容)延迟问题，优化了器件的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114068497 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202010762870.8 H01L 21/82 (2006.01)
(22)申请日 2
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