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本发明属于功能材料技术领域,具体涉及一种在薄膜材料中兼容远红外透明与导电性能的方法,通过设计光频介电常数大于15的介质薄膜,并引入浓度为25‑35%的阴离子空位以实现远红外透明与导电性能的兼容;具体通过制备菱方相的Bi2Tex材料来获得光频介电常数大于15的介质薄膜,Bi2Tex材料的制备工艺包括如下步骤:将纯Bi2Te3靶安装在磁控射频溅射靶中,采用硅片或硫化锌片作为衬底;抽真空度,通入高纯Ar气;控制纯Bi2Te3靶的溅射功率,在基底上沉积;沉积得到薄膜材料后,采用管式炉退火。本发明方法设计
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114032501 A
(43)申请公布日 2022.02.11
(21)申请号 202111284055.6
(22)申请日 2021.11.01
(71)申请人 吉林大学
地址
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