单光子雪崩二极管和光电探测器阵列.pdfVIP

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2023-04-26 发布于四川
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单光子雪崩二极管和光电探测器阵列.pdf

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本公开涉及单光子雪崩二极管和光电探测器阵列。该单光子雪崩二极管包括：第一类型衬底；第二类型外延层，设置于第一类型衬底的一侧；在第二类型外延层的背离第一类型衬底的一侧形成凹坑，在凹坑内、沿第一类型衬底指向第二类型外延层的方向依次设置的第一类型轻掺杂层、第一类型掺杂层和第一类型重掺杂层；第二类型重掺杂埋层，设置在凹坑底部中心位置处，且位于第一类型轻掺杂层与第二类型外延层的交界凹陷内；其中，位于第二类型重掺杂层环周的第一类型轻掺杂层形成保护环；其中，第一类型和第二类型分别为电子型和空穴型中的一种。由此

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114093962 A (43)申请公布日 2022.02.25 (21)申请号 202111386184.6 (22)申请日 2021.11.22 (71)申请人季华实验室地址 5