半导体结构及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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半导体结构及其制作方法.pdf

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本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底，所述基底内具有导电结构；依次层叠的第一下电极和第二下电极，所述第一下电极位于所述第二下电极和所述基底之间，所述第一下电极呈柱状，所述第二下电极呈凹槽状，所述第一下电极与所述导电结构电连接；第一介电层和第一上电极，所述第一介电层覆盖所述第一下电极的侧壁表面，所述第一上电极位于所述第一介电层远离所述第一下电极的一侧；第二介电层和第二上电极，所述第二介电层覆盖所述第二下电极的内壁和底面，所述第二上电极填充于所述第二下电极的凹槽内。本发明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114188301 A (43)申请公布日 2022.03.15 (21)申请号 202010963896.9 (22)申请日 2020.09.14 (71)申请人长鑫存储技术有限公司