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本发明公开了一种GaNHEMT晶体管的小信号模型的建模方法，在构建小信号模型的过程中，对混合提取方法做进一步的改进，仅优化Cpg、Cgsi、Cpgd、Cgdi、Cpd、Cdsi这6个寄生电容值，优化过程简单省时，大大减少了多参数优化导致的误差累积问题；并根据器件的物理特性做出合理的假设，使得到的小信号模型参数值具有正确的物理意义，能够准确反映器件的工作状态；优点是参数提取过程简单省时，参数提取结果可靠性较高，能够用于不同结构的器件，可移植性和通用性较高。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114330192 A
(43)申请公布日 2022.04.12
(21)申请号 202111447793.8
(22)申请日 2021.11.30
(71)申请人 宁波大学
地址 31
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