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一种太阳能电池片的镀膜工艺,属于太阳能电池技术领域。太阳能电池片的镀膜工艺包括:在预设温度范围内对具有减反射膜的硅片进行补镀,预设温度范围为450‑500℃,补镀的步骤包括:采用射频放电的方式激发补镀气体产生等离子体沉积在硅片的减反射膜表面形成氮化硅;沉积包括第一次沉积和第二次沉积,第一次沉积的射频放电的功率为12500~13200W,压强为1600~1700mtorr,时间为65~75s;第二次沉积的射频放电的功率为13000~14000W,压强为1700~1800mtorr,时间为20~30
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114284368 A
(43)申请公布日 2022.04.05
(21)申请号 202111550738.1
(22)申请日 2021.12.17
(71)申请人 通合新能源(金堂)有限公司
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