基于欧姆图形化调制多沟道间耦合性的HEMT器件及制备方法.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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基于欧姆图形化调制多沟道间耦合性的HEMT器件及制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于欧姆图形化调制多沟道间耦合性的HEMT器件及制备方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、N沟道的势垒沟道复合层、第一势垒层和帽层；N沟道的势垒沟道复合层包括间隔生长的第二势垒层与沟道层；在帽层上根据刻蚀图形和刻蚀占比光刻出欧姆图形化阵列区域，根据欧姆图形化阵列区域刻蚀帽层形成欧姆接触槽阵列；在帽层上光刻出源电、漏电极区域，分别在源、漏电极区域内的帽层上和欧姆接触槽阵列内形成源、漏电极；在帽层、源电极和漏电极上生长钝化层；刻蚀钝化层的中间区域直至帽层形成栅槽；在栅槽内和栅槽两侧的钝

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300359 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111372202.5 H01L 29/778 (2006.01) (22)申请日