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本发明涉及一种分裂栅功率MOS器件的制备方法，涉及半导体技术领域，包括：步骤S1，湿法刻蚀第一沟槽内的多晶硅层，形成屏蔽栅；步骤S2，沉积氮化硅层；步骤S3，干法刻蚀，保留第一沟槽内的氮化硅层；步骤S4，以氮化硅层作为自对准硬掩膜，湿法刻蚀第一沟槽内的场氧化层；步骤S5，湿法去除所有氮化硅层；步骤S6，于第一沟槽的侧壁形成栅氧化层，于屏蔽栅的上方以及两壁栅氧化层之间形成栅间氧化层；步骤S7，淀积栅多晶硅层，栅多晶硅层覆盖栅间氧化层，且与器件表面齐平，形成控制栅。本发明利用氮化硅层作为自对准硬掩膜
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114361251 A
(43)申请公布日 2022.04.15
(21)申请号 202210009958.1
(22)申请日 2022.01.05
(71)申请人 嘉兴斯达微电子有限公司
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