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一种增强型分离栅沟槽MOS器件及其制造方法，其制造方法包括对基底进行刻蚀，形成第一深度沟槽，在该第一深度沟槽底部进行离子注入工艺，在该第一深度沟槽底部的外周形成增强区，沿该第一深度沟槽的底部继续刻蚀，形成第二深度沟槽，该第一深度沟槽与该第一深度沟槽共同形成分离栅沟槽，在该分离栅沟槽中形成屏蔽栅以及控制栅，其中，该屏蔽栅的顶部高于该增强区，由于在屏蔽栅的顶部的周围增加一道离子注入，改变了这个位置的外延浓度，从而增强了该处的电场，达到了增加击穿电压的作用，因此，相同的击穿电压下，本发明实施例中的增强
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114420565 A
(43)申请公布日 2022.04.29
(21)申请号 202210308276.0
(22)申请日 2022.03.28
(71)申请人 深圳
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