一种具有三维极性畴多量子阱的半导体发光元件.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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一种具有三维极性畴多量子阱的半导体发光元件.pdf

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本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种具有三维极性畴多量子阱的半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、第一导电型半导体，多量子阱和第二导电型半导体，所述多量子阱具有三维极性畴，形成三维极性畴量子阱；所述三维极性畴多量子阱通过In/Al元素同步震荡层和/或In/Al元素不同步震荡层形成具有金属极性和氮极性的复合三维极性畴量子阱，通过调控金属极性和氮极性的极性畴比例，控制三维空间内的载流子跃迁、迁移和辐射复合，消除量子限制Stark效应，提升电子空穴在三维极性畴界面的辐射复合效率，实现从二

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114420805 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210095966.2 (22)申请日 2022.01.26 (71)申请人安徽格恩半导体有限公司