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提供一种跨模块可调耦合的量子比特芯片，包括：至少一个布线层芯片；至少两个比特层芯片，其耦合至所述至少一个布线层芯片；所述至少两个比特层芯片包括相邻的第一比特层芯片和第二比特层芯片，所述第一比特层芯片和所述第二比特层芯片之间的近邻比特通过可调耦合器进行电容耦合；所述第一比特层芯片包括彼此电容耦合的位于芯片边缘的第一量子比特和第一旁路电容电极，所述第二比特层芯片包括位于芯片边缘的第二量子比特，位于所述第一比特层芯片和所述第二比特层芯片之间的布线层芯片包括第二旁路电容电极；所述第一旁路电容电极电容耦合
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116075209 A
(43)申请公布日 2023.05.05
(21)申请号 202211629846.2
(22)申请日 2022.12.19
(71)申请人 中国科学院物理研究所
地址 10
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