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本发明公开了一种半导体光放大器芯片,包括依次层叠设置的如下组成部分:下(N面)电极层、衬底、缓冲层、无源波导层、掩埋异质有源区、掩埋倾斜波导层、盖层和上(P面)电极层;掩埋倾斜波导层包括:条形倾斜波导、锥形倾斜波导,其中,所述锥形倾斜波导与所述条形倾斜波导光学连接。由于掩埋倾斜波导层中的条形倾斜波导和宽度渐变的锥形倾斜波导倾斜设置,具有一定倾角,避免了光波在半导体光放大器内部发生谐振,使得光波仅在其中发生单程的光增益放大。锥形倾斜波导的宽度渐变,使其在芯片端面处具有较大的横向尺寸,使得半导体光放
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114530762 A
(43)申请公布日 2022.05.24
(21)申请号 202210151942.4
(22)申请日 2022.02.18
(71)申请人 中国科学院半导体研
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