隔离电容及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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隔离电容及其制备方法.pdf

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本发明揭示了一种隔离电容及其制备方法，所述隔离电容包括衬底、电介质层、P型外延层、第一电极板和第二电极板、第一介质层和第二介质层，所述P型外延层上形成有封闭的第一深槽隔离区及第二深槽隔离区，第一深槽隔离区位于第二深槽隔离区内部，P型外延层包括位于第一深槽隔离区内部的第一外延区及位于第一深槽隔离区和第二深槽隔离区之间的第二外延区，所述第一外延区上方形成有浅槽隔离区，所述第一电极板和第二电极板位于第一外延区的上方区域。本发明的隔离电容在电极板下方区域通过深槽隔离和浅槽隔离形成密闭的P型外延区域，该区

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397478 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202011339487.8 (22)申请日 2020.11.25 (71)申请人思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限