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本发明公开一种量子点层图案化的方法，包括以下步骤：S1、对载流子传输层进行防水保护；S2、在经过防水保护的载流子传输层上涂布量子点光刻胶溶液，光刻得到图案化的量子点层；其中所述量子点光刻胶溶液包括量子点和光刻胶。本发明一种量子点层图案化的方法、量子点层及QLED器件，通过将光刻胶与量子点混合，使得量子点隔绝水氧，再采用光刻的方法，制备出图案化的量子点层，制备工艺简单；此外还对载流子传输层的防水保护，提高了载流子传输层的耐水性，减小了光刻过程中的光刻损害，提高了器件的效率；此外光刻工艺制作的分辨率
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112071999 A
(43)申请公布日 2020.12.11
(21)申请号 202010999884.1
(22)申请日 2020.09.22
(71)申请人 苏州星烁纳米科技有限公司
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