存储器件电容接点结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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存储器件电容接点结构及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种存储器件电容接点结构及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底上形成若干条平行间隔排布的位线结构，位线结构沿第一方向延伸；在相邻位线结构之间形成导电层结构，导电层结构的上表面低于位线结构的上表面；在导电层结构上形成牺牲层；在牺牲层内形成若干条平行间隔排布的隔离沟槽，隔离沟槽沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交；在隔离沟槽内形成隔离介质层；基于位线结构及隔离介质层去除牺牲层，以于相邻位线结构之间及相邻隔离介质层之间形成凹槽，凹槽暴露出导电层结构。电容接点结构是形成于相邻位线结构之间的导电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112992905 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110312112.0 (22)申请日 2021.03.24 (71)申请人长鑫存储技术有限公司