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系统、方法及设备包含具有用于半导体装置的多个多方向导电线及阶梯式导电线接触结构的导电线接触区。一个存储器装置包括竖直堆叠的存储器单元阵列，其具有竖直堆叠的存储器单元的多个多方向导电线阵列，包含从层的群组的重复迭代形成的层的竖直堆叠，层的所述群组包括：第一介电材料层、半导体材料层及第二介电材料层，所述第二介电材料层具有在其中形成于水平面中的导电线，并且层的所述竖直堆叠具有在互连区中的多个多方向导电线，所述互连区具有形成于阵列区中的所述互连区的第一部分及形成于与所述阵列区间隔开的导电线接触区中的第二
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116057631 A
(43)申请公布日 2023.05.02
(21)申请号 202180062817.X (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限
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