一种基于脉冲激光沉积技术的铋氧硒外延薄膜制备方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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一种基于脉冲激光沉积技术的铋氧硒外延薄膜制备方法.pdf

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本发明属于薄膜沉积技术领域，具体提供一种基于脉冲激光沉积技术的铋氧硒外延薄膜制备方法，用以解决铋氧硒薄膜制备过程中出现的结晶度不高、杂质浓度过高等问题。本发明采用铋氧硒靶材，基于脉冲激光沉积技术于钙钛矿氧化物单晶衬底上外延生成铋氧硒薄膜，对脉冲激光沉积参数进行精准设计：设置背底真空小于9×10‑3Pa、靶材与衬底之间的距离为50mm～60mm、生长温度范围为400℃～510℃、生长时间大于2min～20min，设置脉冲激光的重复频率为1Hz～9Hz、脉冲激光聚焦在靶材上的能量密度范围为0.5J/

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114657642 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202210294266.6 (22)申请日 2022.03.23 (71)申请人电子科技大学