原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及功率开关器件。一种设备包括用于执行高电流和/或高压切换的电路。该电路包括在硅(Si)衬底上的第一氮化镓(GaN)横向场效应晶体管。Si衬底上的第一GaN横向场效应晶体管的源极端子包含通过耦合到源极端子的隔离高压的电阻器或者可操作地耦接到漏极端子和衬底端子的第二电阻器，与P型Si衬底的背面的电连接。隔离高压的电阻器和第二电阻器引起从漏极端子经由缓冲层到源极端子的漏电流。该漏电流使Si衬底上的第一GaN横向场效应晶体管上的电压降与Si衬底上串联连接的第二GaN横向场效应晶体管上的电压降相等
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 107833885 A
(43)申请公布日
2018.03.23
(21)申请号 20171
文档评论（0）