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半导体器件可以包括:衬底、位于衬底的底表面上的第一绝缘层、在第一绝缘层中的互连结构、在第一绝缘层的底表面上的第二绝缘层、以及设置在第二绝缘层中的多个下焊盘。每个下焊盘可以设置为使得其顶表面的宽度小于其底表面的宽度。下焊盘可以包括第一下焊盘、第二下焊盘和第三下焊盘。在平面图中,第一下焊盘和第三下焊盘可以分别与衬底的中心部分和边缘部分相邻,而第二下焊盘可以设置在其间。第二下焊盘的底表面的宽度可以小于第一下焊盘的底表面的宽度并且可以大于第三下焊盘的底表面的宽度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116031228 A
(43)申请公布日 2023.04.28
(21)申请号 202210989663.5 H01L 25/065 (2023.01)
(22)申请日 2022.08
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