光刻掩膜优化设计方法及系统.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.44万字
约 13页
2023-05-16 发布于四川
举报
版权申诉

光刻掩膜优化设计方法及系统.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种光刻掩膜优化设计方法及系统，光刻掩膜优化设计方法包括如下步骤：1）依据光刻所需参数条件依次进行光源优化、掩膜优化及光源‑掩膜优化；2）依据优化结果设定曝光参数；3）依据器件的关键尺寸对曝光参数进行修正；4）依据修正后的曝光参数输出光刻掩膜模型；5）对光刻掩膜模型进行光学邻近校正；及，6）对光学邻近校正后的光刻掩膜模型进行电性验证检测，在电性验证检测通过后得到所需的光刻掩膜。本发明的光刻掩膜优化设计方法通过采用光源优化、掩膜优化及光源‑掩膜优化设定曝光参数，可以实现光刻掩膜的自动化设

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109752918 A (43)申请公布日 2019.05.14 (21)申请号 20171