一种半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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一种半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件的电容结构包括下电极、与下电极相对的上电极和环绕下电极和上电极的栅介质。其中，电容结构位于经过至少两次刻蚀得到的沟槽内，沟槽包括具有第一宽度的沟槽上部和具有第二宽度的沟槽下部，第一宽度小于第一宽度；下电极位于沟槽下部；上电极位于沟槽上部。如此，一方面通过多次刻蚀使下电极的宽度减小，还通过缩小沟槽上部宽度的方式，使沟槽与源区以上下叠加的方式共用同一垂直空间，进一步减小沟槽和源区的宽度和，使本申请半导体实施例的单元面积更小。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116017975 A (43)申请公布日 2023.04.25 (21)申请号 202211732029.X (22)申请日 2022.12.30 (71)申请人杭州富芯半导体有限公司地址 3