一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点及其合成方法以及QD-LED器件.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点及其合成方法以及QD-LED器件.pdf

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本发明提供了涉及一种Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族量子点及其合成方法以及QD‑LED器件。该方法包括以下步骤：将I‑VI族量子点与含有III族元素的前驱体和表面活性剂的溶液混合进行反应，使I族元素和III族元素相互扩散，实现部分置换，得到Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族量子点；I族元素选自银和/或铜，VI族元素选自硫、硒中的一种或两种的组合，III族元素选自铟、镓和砷中的一种或两种以上的组合。本发明还提供了上述方法合成的Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族量子点以及由其制成的QD‑LED器件。本发明所提供的Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族半导体量子点具有尺寸均匀、纯度高的优点

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116004224 A (43)申请公布日 2023.04.25 (21)申请号 202211732169.7 (22)申请日 2022.12.30 (71)申请人深圳先进技术研究