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本发明公开了一种晶圆切割工艺,属于晶圆加工领域。一种晶圆切割工艺,包括以下步骤:晶圆正面预先开设多个第一沟槽,再将晶圆正面贴附第一载盘,固定晶圆与第一载盘外缘处涂布第一封堵,对所述晶圆围堵限位;在蚀刻晶圆正背面贴附第二载盘,去除第一封堵,在第二载盘的外缘处涂布第二封堵,对所述晶圆围堵限位;同时晶圆围绕其自身轴线旋转,形成中央薄边缘厚的构造;去除所述第一载盘,在所述晶圆的进行背面制程;并在所述晶圆的背面开设多个与第一沟槽一一对应的第二沟槽,且所述第一沟槽与第二沟槽并不贯通。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114864489 A
(43)申请公布日 2022.08.05
(21)申请号 202210557348.5
(22)申请日 2022.05.20
(71)申请人 浙江同芯祺科技有限公司
地址 31
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