一种具备氧化隔离层的高效垂直腔面EML芯片及制备方法.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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一种具备氧化隔离层的高效垂直腔面EML芯片及制备方法.pdf

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本发明公开了一种具备氧化隔离层的高效垂直腔面EML芯片及制备方法，其中高效垂直腔面EML芯片包括VCSEL单元、氧化隔离层和EOM单元，氧化隔离层设置于VCSEL单元和EOM单元之间，用于防止两单元接触处的电位影响各自单元内的工作电流。本发明突破性地在VCSEL单元和EOM单元之间设置具有电学绝缘效果的氧化隔离层来隔离施加到EOM单元的高频调制信号，使得VCSEL单元和EOM单元相对独立，防止高频调制信号对VCSEL单元中的电流产生影响，从而确保VCSEL单元的稳定输出。同时，本发明创新地开创了

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114865452 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210544532.6 (22)申请日 2022.05.19 (71)申请人福建慧芯激光科技有限公司地址 3