一种掩埋式非氧化孔径VCSEL的外延结构及其制备工艺.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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一种掩埋式非氧化孔径VCSEL的外延结构及其制备工艺.pdf

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本发明提供一种掩埋式非氧化孔径VCSEL的外延结构，属于新型半导体激光器技术领域，包括衬底；在衬底上依次设置有MOCVD沉积缓冲层、第一分布式布拉格反射层、谐振腔、第二分布式布拉格反射层和欧姆接触层，谐振腔、所述第二分布式布拉格反射层以及所述欧姆接触层均为Ⅲ‑Ⅴ族化合物材料，谐振腔的顶面形成一个包括量子阱层的台面；外延结构还包括同质半绝缘层，同质半绝缘层包裹于所述台面的外周面，同质半绝缘层为AlxGa1‑xAs层或InP层。本发明用第二次外延再生长的同质半绝缘层掩埋于谐振腔四周，第二次外延再生长

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114865451 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210521299.X (22)申请日 2022.05.13 (66)本国优先权数据