近红外表面等离激元近场增强型高迁移率晶体管探测器.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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近红外表面等离激元近场增强型高迁移率晶体管探测器.pdf

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本发明公开了一种近红外表面等离激元近场增强型高迁移率晶体管探测器，其特征在于自下而上依次包括：衬底层、底部GaN缓冲层、InGaN渐变层、InN层、GaN顶层，源极和漏级，所述GaN顶层在源极和漏级之间设有散布或矩阵分布金纳米颗粒的区域，形成表面等离激元结构。本发明通过窄禁带半导体异质结实现红外响应，采用表面等离激元增强型晶体场效应管结构以通过光增强提高灵敏度，实现了近红外探测。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114914316 A (43)申请公布日 2022.08.16 (21)申请号 202210559835.5 (22)申请日 2022.05.23 (71)申请人南京大学地址 210023 江苏