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本发明提供一种半导体结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底，形成自下而上依次包括感光材料层及正显影光刻胶层的双层光刻胶层于衬底上；进行曝光；进行显影，得到开口；形成正显影光刻胶微缩材料层；进行加热处理，使正显影光刻胶微缩材料层与正显影光刻胶层的交界面处发生融合，得到交联层，交联层位于正显影光刻胶层侧壁的部分突出于感光材料层的侧壁；去除正显影光刻胶微缩材料层以再次显露开口，开口的顶部宽度小于底部宽度。本发明通过双层光刻胶层及微缩工艺得到顶部宽度小于底部宽度的开口，可以用于光刻胶剥离工艺。本发明
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113130383 A
(43)申请公布日
2021.07.16
(21)申请号 20201
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