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第三代半导体行业分析-千亿级黄金赛道中国“芯”蓄势待发 1、什么是第三代半导体技术？ 1.1三代半导体衬底材料改变引领半导体新时代 半导体材料是半导体产业链上游中的重要组成部分。半导体材料分为制造材料和封装材料，其中制造材料主要是制造硅晶圆半导体、砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）等化合物半导体的芯片过程中所需的各类材料，在集成电路、分立器件等半导体产品生产制造中起到关键性的作用。半导体制造材料包括硅材料和砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。 硅衬底占据主要市场，三代半导体有望掀起底层材料端革命。硅（Si）是目前技术最成熟、使用范围最广、市场占比最大的衬底材料，近年来硅材料的潜力已经开发殆尽，在高压、高频、高温领域以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体衬底材料市场规模有望迎来快速发展。 半导体衬底材料发展至今经历了三个阶段： 1）第一阶段（代表材料：Si，Ge）：20世纪50年代开始，以硅（Si）、锗（Ge）为代表的第一代半导体材料制成的二极管和晶体管取代了电子管，引发以集成电路为核心的微电子产业的迅速发展，主要应用于低压、低频、低功率的部分功率器件、集成电路中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。 2）第二阶段（代表材料：GaAs，InP）：20世纪90年代开始，随着半导体产业的发展，硅材料的物理瓶颈日益突出，以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、锑化铟（InSb）、部分三元化合物半导体等为代表的第二代化合物半导体材料崭露头角。砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍，具有直接带隙，故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能，因此被广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。 3）第三阶段（代表材料：SiC、GaN）：近年来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（禁带宽度大于2.2eV）第三代半导体材料逐渐兴起，其介电常数、导热率及最高工作温度等等关键参数方面具有显著优势，可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频及抗辐射等恶劣工作条件的新要求，从而成为半导体材料领域最具前景的材料之一。目前，5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步开始使用第三代半导体，待成本下降后，第三代半导体有望实现对硅基材料的全面替代。 就功率和频率两个维度而言，第一代半导体材料的代表硅，功率在100Wz左右，频率只有大约3GHz；第二代的代表砷化镓，功率不足100W，但频率却能达到100GHz。因此前两代半导体材料更多是互为补充的关系。而第三代半导体的代表氮化镓和碳化硅，功率可以在1000W以上，频率也可以接近100GHz，优势非常明显，因此未来有可能是取代前两代半导体材料的存在。 1.2主流制备工艺：SiC采用物理气相传输法，GaN采用氢化物气相外延法 1.2.1SiC制备工艺：PVT优势显著，系商业化首选 PVT成本低，系商业化主流路线。SiC制备方法主要有三种：物理气相传输法（PVT）、顶部籽晶溶液生长法（TSSG）及高温化学气相沉积法（HT-CVD）。顶部籽晶溶液生长法主要用于实验室生长较小尺寸晶体，而物理气相传输法与高温化学气相沉积法主要用于商业生产。其中PVT法制备SiC所需设备简单且价格低，操作控制相对容易故为商业生产主流方法。PVT原理：将高纯度碳粉与硅粉，按特定比例混合，形成高纯度SiC微粉与籽晶分别放置生长炉内坩埚下部，顶部后，温度升高至2000℃以上，通过控制坩埚下部温度略高于顶部，形成温度差。SiC微粉升华成气态Si2C、SiC2、Si等，后由于温度差在温度较低籽晶处形成SiC晶锭。 1.2.2GaN制备工艺：HVPE工艺简单，系生产主流方式 HVPE工艺简单，生长速率快，系生产主流路线。氮化镓制备主要分气相法及熔体法，其中气相法细分为氢化物气相外延法（HVPE）、气相传输法。熔体法细分为高压氮气溶液法（HNPSG）、助溶剂法/溶盐法、氨热法、提拉法。相较而言，HVPE法厚膜质量及生长速率更高，系主流生方式。HVPE原理：整个过程在一个多层次温区热壁反应系统的完成，在温度为850度温区内放入金属Ga，呈液态，后从热璧上层注入HCl气体，形成GaCl气体，后将CaCl气体传送至衬底，在1000度-1100度温度下与氨气（NH3）反应，最终生成GaN晶体。 2、第三代半导体发展前景如何？ 2.1市场端：整体产值超7100亿元，2023年渗透率接近5% 第三代半导体材料渗透率逐年提升，2023年有望接近5%。根据Yole数据显示，Si仍是半导体材料主流，占比95%。第三代半导体渗透率逐年上升，SiC渗透率在2023年有望达到3.75%，GaN