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2023-05-29 发布于四川
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隔离电容及其制备方法.pdf

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本发明揭示了一种隔离电容及其制备方法，所述隔离电容包括衬底、位于电介质层上的P型接触层、位于P型接触层上的第一电极板和第二电极板、位于P型接触层和第一电极板之间的第一介质层、及位于第一电极板和第二电极板之间的第二介质层，所述P型接触层中形成有浅槽隔离区，衬底中形成有隔离介质层，所述浅槽隔离区至少覆盖第一电极板和第二电极板的下方区域，所述隔离介质层位于浅槽隔离区下方且至少覆盖第一电极板和第二电极板的下方区域。本发明的隔离电容通过去除电极板下方区域的衬底，并用隔离介质进行填充，从根本上消除了电极板至

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112420661 B (45)授权公告日 2022.08.02 (21)申请号 202011339470.2 H01L 49/02 (2006.01) (22)申请日 2020.11

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