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本申请提供了一种半导体工艺和半导体结构，该半导体工艺，包括：在衬底上形成交替的层叠结构，层叠结构包括交替设置的牺牲层和第一绝缘介质层；形成垂直贯穿层叠结构插入衬底的沟道结构和虚拟沟道结构；在沟道结构和虚拟沟道结构的底部形成外延层；在沟道结构和虚拟沟道结构内形成至少覆盖外延层的功能层；去除虚拟沟道结构的顶部位置的部分层叠结构；用第一保护层填充去除的层叠结构的部分；刻蚀填充第一保护层后的层叠结构，以至少部分去除沟道结构底部的功能层；去除第一保护层。该工艺避免了由于刻蚀得较深导致的漏电问题，保证了制作
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420730 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202011280731.8
(22)申请日 2020.11.16
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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