半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本公开内容提供一种半导体器件及其制作方法，所述器件包括衬底；在所述衬底上形成的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的第二半导体层；所述第一半导体层具有比所述第二半导体层更小的禁带宽度；在所述第二半导体层上形成的第一电极，第二电极和第三电极；与所述第三电极对应的所述第一半导体层中具有强P‑型掺杂的第一区域，与所述第二电极对应的所述第一半导体层中具有弱P‑型掺杂的第二区域。本公开内容有助于实现如下效果之一：减小栅极漏电流，具有高阈值电压、高功率、高可靠性，能够实现低导通电阻和器件的常关状态，能够提

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447834 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 20191