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实验位错蚀坑的观察;实验二 位错蚀坑的观察;一、实验目的;二、实验设备及材料;三、位错蚀坑的侵蚀原理;;;;用蚀坑观察位错有一定的局限性，它只能观察在表面露头的位错，而晶体内部位错却无法显示；此外浸蚀法只适合于位错密度很低的晶体（错密度小于106cm-2的晶体），如果位错密度较高，蚀坑互相重迭，就难以把它们彼此分开，所以此法一般只用于高纯度金属或者化合物晶体的位错观察。;表1 晶体位错浸蚀条件;（1-1）PbMoO4 （001）面位错蚀坑;ZnWO4晶体（010）晶面上的位错蚀坑;单晶硅（111）晶面上的位错蚀坑 ; 位错是晶体中的线缺陷。单位体积晶体中所含位错线的总长度称位错密度。若将位借线视为彼此平行的直线，它们从晶体的一面均延至另一面，则位错密度便等于穿过单位截面积的位错线头数。;四、实验步骤;;;;;感谢您的欣赏
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