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3.1 概述
AES定义:根据待测物质的气态原子被激发时所发射的特征线状光谱的波长和强度来测定物质的元素组成和含量的分析技术。
;1)灵敏度、准确度高、选择性好:一般可达0.1-10ppm,经富集可达ppb. RSD一般为10%,ICP光源RSD小于1%。几十种元素可同时测定(Co,Ni等)2)广谱性:可直接分析固、液和气体样品(70多种元素),3)操作简便,分析速度快,用量少。; 3.2.2 原子发射光谱的产生及特征:;3.2.3 原子光谱 的强度
激发态原子数服从Boltzman公式:
Nj=N0(Pj/P0)e-Ej/kT
P 能级的统计权重(相同能级的数目)
Ej 激发电位即一个外层电子从基态跃迁至激发态所需要的能量。;温度对谱线强度的影响;谱线强度与试样中元素浓度的关系;自吸收:在原子发射光谱中,处于弧心较高温度的原子发射出的电磁辐射被较低温度的同种元素的原子所吸收,而使谱线强度减弱的现象;3.3 AES的主要仪器设备;1直流电弧
原理:气体放电(图3.4)
分析特性:
设备简单,不用高压,操作安全;
阳极蒸发温度高,灵敏度高因而适用于定性分析
弧焰不稳定,且易受样品基体的影响,因而重现性差。再加上易产生自吸或自蚀,故不适合定量分析。;2低压交流电弧原理:气体放电(见图3-4)分析特性:激发温度较高,放电稳定性较好,适用于 低含量元素的定量分析。;4 电感耦合等离子炬(ICP);
光源的选择:分析元素的性质和含量
分析任务(定性、定量)
客观条件
;3.3.2分光系统(单色器)--将样品激发态原子的辐射色散成光谱;d ?/d ?= 2msin(?/2)/(1-n2sin2 (?/2))1/2?(dn/ d ?)
其中m棱镜数目,n材料折射率, ? 棱镜顶角。
M、 ?、n、 dn/ d ?越大,d ?/d ? 越大;分辨率 R = ?/??= mb dn/ d ?;2 光栅;
若d(光栅常数),入射光方向( ?)一定,在一定的光谱级次(k)上,不同?有不同的衍射角?。(分光原理)
若d(光栅常数),入射光方向( ?)一定,在同一衍射方向上,不同光谱级次k有不同波长的重叠
辐射能量最大的波长称为闪耀波长( ?b1, ?b2, ?b3…)
光栅适用范围: ?b1/(k+0.5) (短波极???) ? ? ? ?b1/(k-0.5)(长波极限);分光性能:
角色散率d?/d?=k/dcos ?
线色散率dl/d ?= f ?/d?=kf/dcos ?? kf /d (?很小,且变化
不大。)
匀排光谱
光栅刻线数越多,即d越小, dl/d ?越大
光谱级次越大,物镜焦距越大, dl/d ?越大
;??1=0.006nm ??2=0.019nm
N=1200×50=6×104, K=1
R=KN= 6×104, ?=600, 故??=600/6×104=0.01nm;3.3.3检测记录系统;AB 曝光不足
BC 正常曝光
CD曝光过度 DE 负感;2光电倍增管;
摄谱仪
棱镜摄谱仪
光栅摄谱仪
光电直读光谱仪
单道扫描光谱仪
多道直读光谱仪
全谱直读光谱仪
;3.4 原子发射光谱分析法;标准试样光谱比较法:适用于少数指定元素的分析,同时纯物资又易得到。试样与纯物质同时摄谱;1基本公式: I=Acb , lgI=lgA+blgC
; ?S= r lg(I/Io)=rlgR=rlgA+rblgC;内标元素和内标线的选择原则:;定量分析方法; Cx+0, Cx+C1, Cx+C2, Cx+C3,……
?S ?S1 ?S2 ?S3 …… ;光谱定量分析条件
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