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本发明提供一种能够实现优异的电学特性的半导体装置。本发明提供一种二极管芯片(1)(半导体装置),包含:半导体芯片(10),包含p型的第1半导体层(14)、及形成在第1半导体层(14)之上的n型的第2半导体层(15);第1焊垫分离沟槽(277),以贯通第2半导体层(15),到达第1半导体层(14)的方式,形成在半导体芯片(10),通过将半导体芯片(10)的一部分与其他区域加以区隔,而在第1半导体层(14)与第2半导体层(15)之间形成第1内部寄生电容(C1);中间绝缘层(91),被覆第2半导体层(
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112582481 A
(43)申请公布日
2021.03.30
(21)申请号 20201
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