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一种半导体存储器装置包括:衬底,包括外围电路;互连阵列,设置在外围电路上;单元堆叠结构,设置在互连阵列上,单元堆叠结构包括在垂直方向上堆叠的栅电极,用于形成单元阶梯结构;以及伪堆叠结构,设置在互连阵列上,伪堆叠结构包括在垂直方向上堆叠的牺牲层,用于形成与单元阶梯结构平行的伪阶梯结构。互连阵列包括第一下导电图案,第一下导电图案包括与单元阶梯结构和伪阶梯结构之间的狭缝重叠的中心区域、从中心区域延伸至与伪阶梯结构重叠的第一区域以及从中心区域延伸至与单元阶梯结构重叠的第二区域。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112582424 A
(43)申请公布日
2021.03.30
(21)申请号 20201
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