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在一些实施例中,本发明涉及一种形成半导体结构的方法。该方法包括在处理衬底内形成多个体微缺陷。增大多个体微缺陷的尺寸,以在处理衬底内形成多个体宏缺陷(BMD)。从沿着处理衬底的相对表面布置的第一凹痕区域和第二凹痕区域内去除多个BMD中的一些。绝缘层形成在处理衬底上。在绝缘层上形成包括半导体材料的器件层。第一凹痕区域和第二凹痕区域垂直地围绕处理衬底的中心区域,该中心区域具有比第一凹痕区域和第二凹痕区域均更高的多个BMD的浓度。本发明的实施例还涉及半导体结构和形成SOI衬底的方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112582331 A
(43)申请公布日 2021.03.30
(21)申请号 202010865081.7
(22)申请日 2020.08.25
(30)优先权数据
62/907,96
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