宽带隙的MPS二极管及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-02 发布于四川
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宽带隙的MPS二极管及其制造方法.pdf

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本发明涉及宽带隙的混合p‑i‑n/肖特基(MPS)二极管及其制造方法。本发明特别涉及碳化硅(SiC)MPS二极管。根据本发明，MPS二极管包括具有不同电流电压(IV)特性的不同肖特基触点，和/或具有不同触点电阻和/或阈值电压的欧姆触点。这允许MPS二极管的导通区域随着正向偏置而更缓慢地变化，从而避免在从正向偏置模式切换到反向偏置模式时与大的导通区域相关的缺点。因此，可以在较宽的操作电压范围内提高动态切换性能。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116190456 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202211024963.6 H01L 29/868 (2006.01)