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本公开实施例提供一种阵列基板的制作方法。该阵列基板包括薄膜晶体管,该制作方法包括:在衬底基板上依次形成第一绝缘层和半导体层,该半导体层包括该薄膜晶体管的半导体沟道区和该半导体沟道区以外的第一半导体区,对该半导体层进行导体化处理使得该第一半导体区被导体化,之后对该第一绝缘层进行第一刻蚀工艺以在该第一绝缘层中形成第一过孔,并对该半导体层进行第二刻蚀工艺以去除该第一半导体区的第一部分以及保留该第一半导体区的第二部分。该制作方法可以有效降低该阵列基板的静电放电风险。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112582342 A
(43)申请公布日
2021.03.30
(21)申请号 20191
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