一种具有超双疏性的复合凹角微米结构的制备方法.pdfVIP

一种具有超双疏性的复合凹角微米结构的制备方法.pdf

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本发明涉及一种具有超双疏性的复合凹角微米结构的制备方法,具体步骤为:在衬底表面蒸镀硅层,于表面旋涂光刻胶并固化,利用光刻工艺将掩模板图案传递至光刻胶,经过显影后,以图案化的光刻胶为刻蚀掩模,再利用深硅刻蚀工艺将光刻胶微米结构传递至硅基底,利用深硅刻蚀工艺特性及其对光刻胶与硅的选择性横向刻蚀,获得T型多层沟槽微米复合结构,在表面修饰1H,1H,2H,2H‑全氟癸基三氯硅烷单分子层后,即实现稳定的超疏水超疏油性能。所制得的纯微米复合凹角结构,具有优秀的超双疏性能和良好的耐磨性,制备方法简单适合批量生

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112624032 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 202011461537.X (22)申请日 2020.12.14 (71)申请人 南京工业大学 地址

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