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本发明提供了一种超薄绝缘层半导体激光器及其制备方法，半导体激光器包括第一电极、第二电极、设于第一电极及第二电极之间且从第一电极朝向第二电极方向依次设置的衬底、第一金属化层、第一限制层、第一波导层、第一过渡层、有源层、第二过渡层、第二波导层、第二限制层和第二金属化层，所述第二金属化层的上表面开设有至少两条沟槽，相邻沟槽之间设有载流子限制绝缘凸起，前后腔面分别镀有增透膜和银反射刻蚀膜。本发明中，绝缘层厚度降低可以使半导体激光器的散热更加快速，有利于半导体激光器功率和寿命的提高。干法蚀刻利用Ar的电离
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112636164 A
(43)申请公布日 2021.04.09
(21)申请号 202011511284.2
(22)申请日 2020.12.18
(71)申请人 勒威半导体技术（嘉兴）有限公司
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