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本发明提供能够抑制势垒金属的剥离、裂纹的碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法。在层间绝缘膜(10)上表面设置有反映沟槽(5)内部的栅电极(7)上表面的凹陷(7a)的第一凹部(10a)。在层间绝缘膜(10)的上表面与侧面的边界处设置有将层间绝缘膜(10)的侧面上端以扇状去除而成的第二凹部(10b)。在层间绝缘膜(10)表面形成由第一凹部、第二凹部(10a、10b)引起的凸部(10e、10f)，通过第一凹部、第二凹部(10a、10b)和凸部(10e、10f)反复设置有3个以上的凹凸。层间绝缘
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112652653 A
(43)申请公布日 2021.04.13
(21)申请号 202010857182.X
(22)申请日 2020.08.24
(30)优先权数据
2019-1881
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