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本发明公开一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路，涉及氮化镓基第三代宽禁带半导体领域，包括GaNHEMT器件器件电路、电流源电路、动态导通电阻提取电路和运放差分电路，可通过探测器件漏极电压推算得到，通过器件漏源极的高频电流，省去了电流探测器，避免了电流探测器带来的损耗，减小了电路环路面积。该方法还能有效地将GaNHEMT器件的自热效应及其独有的俘获效应解嵌，从而获得高精度的电流探测结果，能够广泛地运用于高频功率电子线路中。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112649714 A
(43)申请公布日 2021.04.13
(21)申请号 202011473394.4
(22)申请日 2020.12.15
(71)申请人 南京工业职业技术大学
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