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本发明涉及一种低压化学气相沉积生长氧化镓薄膜的方法，该方法通过低压化学气相沉积生长出氧化镓外延薄膜，然后进行原位后退火处理对薄膜进行处理；原位后退火处理，工艺操作简单，能够促进薄膜的重结晶，引起薄膜表面颗粒的重熔和凝聚，进而降低表面粗糙度；并且还能够改善界面缺陷，显著提高了Ga2O3薄膜的晶体质量。本发明的方法低压化学气相沉积(LPCVD)技术设备较为简单，生长速率较快，重复性较高，成本较低，生长出的氧化镓薄膜，透光率高，质量高。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112647130 B
(45)授权公告日 2022.04.01
(21)申请号 202011306035.X C30B 33/02 (2006.01)
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