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本发明涉及一种半导体存储器件及其制作方法。该方法包括：提供半导体基板；在半导体基板上形成电容接触孔，电容接触孔包括上部和下部，且上部的孔径大于下部的孔径；在电容接触孔内形成第一导电结构，第一导电结构填充电容接触孔，且与下部的高度相同；在上部的侧壁上形成间隙壁和间隔结构，其中间隔结构设置在上部的侧壁与间隙壁之间；在电容接触孔内形成金属导线，金属导线与电容接触孔一一对应且与填充下部的第一导电结构电连接，并各覆盖上部的一侧的间隙壁和间隔结构的顶部；移除间隙壁，形成多个空气间隙，以降低相邻的电容接触孔金
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112652625 A
(43)申请公布日
2021.04.13
(21)申请号 20191
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