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本发明公开了一种激光器芯片及制备方法，所述制备方法包括：提供基底；于所述基底的表面形成有源层；于所述基底上形成包括由下至上依次叠置的第一半绝缘层、第二半绝缘层及第三半绝缘层的叠层结构；于所述有源层上形成外延结构；其中，所述叠层结构位于所述有源层及所述外延结构相对的两侧。上述依次叠置的第一半绝缘层、第二半绝缘层及第三半绝缘层形成的叠层结构作为掩埋阻挡层替换传统掩埋型结构中的PN结构，降低激光器芯片的结电容，从而提升激光器的高频带宽；除此之外，叠层结构在激光器芯片中形成窄电流注入通道，激光器芯片整体
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112636178 B
(45)授权公告日 2021.06.01
(21)申请号 202110258774.4 (51)Int.Cl.
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