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本发明涉及半导体蚀刻技术领域,具体涉及一种蚀刻治具、蚀刻装置及蚀刻方法。蚀刻装置包括蚀刻治具以及蚀刻机,蚀刻机包括蚀刻液缸以及喷嘴,蚀刻治具位于蚀刻液缸内,并能够在蚀刻液缸内旋转,喷嘴位于蚀刻治具的上方,且喷嘴用于喷洒蚀刻液,蚀刻治具包括治具本体,治具本体上开设有凹槽,凹槽的内壁形成用于放置待蚀刻晶片的蚀刻区域,且治具本体的边缘还形成有排液口。蚀刻方法包括将待蚀刻晶片放置在蚀刻装置内,使蚀刻治具在蚀刻液缸内旋转,以及将喷嘴打开对待蚀刻晶片喷洒蚀刻液,多余的蚀刻液会从排液口流出。针对如InP/In
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112635389 A
(43)申请公布日 2021.04.09
(21)申请号 202011585283.2
(22)申请日 2020.12.28
(71)申请人 芯思杰技术(深圳)股份有限公司
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