混合自旋转移矩磁性随机存取存储器(H-STT-MRAM).pdfVIP

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2023-06-03 发布于四川
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混合自旋转移矩磁性随机存取存储器(H-STT-MRAM).pdf

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本发明是一种由非磁夹层隔离的垂直磁向异性磁隧道结(pma‑MTJ)和面内磁向异性磁隧道结(ima‑MTJ)面对面堆叠组成的混合型自旋转移矩磁阻随机存取存储器(H‑STT‑MRAM)。其中在任一个MTJ磁自由层写入时,会受到来自另一个MTJ磁自由层通过非磁夹层施加的一个垂直于普通自旋转移矩(STT)的附加自旋转移矩(STT)来协助写入,以提高MTJ的写入性能。还提出了一种由Ru夹层隔开的两个磁自由层组成的合成反铁磁体自由层(SAFFL)结构来替代ima‑MTJ中的磁自由层(FL)，以改善其面内磁

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112652339 A (43)申请公布日 2021.04.13 (21)申请号 202011025687.6 (22)申请日 2020.09.25 (30)优先权数据 GB1914633